松下電工在半導體繼電器“PhotoMOS系列”產(chǎn)品中追加了高容量、低導通電阻的“PhotoMOSSOP高容量”款型，2006年9月15日上市。包括負載電壓為60V“SOP（小外形封裝）4引腳”和80V的“SOP6引腳”2款，容量均為1.25A、原來的2.5倍。導通電阻方面，前者為0.2Ω、約為原來的1/4，后者為0.09Ω、約為原來的1/9。面向計測設(shè)備、電源、安全設(shè)備等要求長壽命的電路。
普通的半導體繼電器很難兼顧高容量和低導通電阻，當要求高容量/低導通電阻時，一般采用機械繼電器。但是，由于機械繼電器的接點壽命短，在開閉頻率高的場合，需要頻繁地更換。因此，松下電工通過新開發(fā)輸出端的MOSFET，開發(fā)成功了兼顧高容量和低導通電阻的半導體繼電器。可滿足設(shè)備的小型化及高密度封裝要求。
PhotoMOS繼電器由MOSFET、LED及光感應(yīng)器件組成。工作原理如下：當訊號電流通過輸入接點時，LED發(fā)光，照射光感應(yīng)器件。光感應(yīng)器件根據(jù)受光量進行發(fā)電，為輸出部分的MOSFET柵極充電。當MOSFET柵極的電壓超過預設(shè)值時，MOSFET漏極與源極呈導通狀態(tài)，繼電器便開通。