近日，英國《金融時報》報道，盡管美國的《通脹削減法》和《芯片與科學法》提供了超過4000億美元的稅收減免、貸款和補貼，以促進美國國內清潔能源技術和半導體產業的發展，但是美國制造業復興計劃因投資者按下暫停鍵而推遲。

　　據悉，與上述法案相關的過億美元大項目共114個，總投資2279億美元，但其中總計投資約840億美元的項目進度滯后兩個月至數年，甚至無限期停擺，其中不乏半導體項目。相關企業表示，市場狀況惡化、需求放緩，以及本土政策缺乏確定性，導致廠商改變了投資計劃。

　　01  臺積電亞利桑那州工廠推遲投產

　　8月13日，臺積電公布多項董事會決議，包括核準近300億美元資本預算。其中，臺積電核準不超過75億美元額度，增資百分之百持股子公司TSMC Arizona，即臺積電亞利桑那子公司。

　　按照規劃，臺積電未來幾年將在美國亞利桑那州建設3座工廠，總計投資達650億美元。不過，《紐約時報》最新消息顯示，臺積電宣布建廠以來四年時間過去，臺積電亞利桑那州工廠尚未生產出一顆芯片。業界分析，文化差異，勞動力資源面臨與英特爾的競爭，兩大因素使得臺積電亞利桑那州工廠面臨挑戰，并推遲投產。

　　2020年5月臺積電宣布在亞利桑那州建設晶圓廠時，計劃2021年開始建設，目標量產時間是2024年。第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布，原定計劃于2026年量產。

　　今年5月臺積電官網顯示，亞利桑那州首座晶圓廠延期至2025年上半年投產，第二座晶圓廠也將其延期至2028年量產。

　　至于第三座晶圓廠，臺積電尚未披露動工的時間，官方表示計劃在本世紀30年代末開始投產。

　　按照臺積電規劃，亞利桑那州第一座工廠將采用4nm制程技術，第二座工廠將采用2nm技術，第三座工廠則將采用2nm或更先進制程工藝。

　　02  英特爾俄亥俄州工廠延遲建設

　　美國本土半導體廠商英特爾計劃未來五年在美國投入1000億美元，在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州以及俄勒岡州投資新建芯片工廠以及擴大現有產能，創造1萬個制造業工作崗位和2萬個建筑業崗位。

　　2月外媒報道，由于市場低迷以及美國補貼發放延遲，英特爾推遲了俄亥俄州200億美元規模的芯片項目。英特爾將在俄亥俄州建設兩家新的尖端晶圓廠，計劃2025年開始芯片制造，經過調整，英特爾俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。

　　隨著芯片制程不斷向3nm、2nm邁進，晶圓廠的投資金額也水漲船高，半導體廠商面臨資金緊張的壓力。這一背景下，英特爾不但推遲了美國俄亥俄州工廠建設，而且對歐洲的工廠做出了延期調整。

　　其中，英特爾在德國馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠原本計劃在2023年下半年開工，但是由于歐盟補貼的推遲確認、建廠地區需要移除黑土，英特爾已經將開工時間將推遲到2025年5月。此外，英特爾還暫停了對法國和意大利的投資計劃。

　　03  三星泰勒晶圓廠延期

　　三星計劃在美國得克薩斯州建設包括兩座先進邏輯代工廠和一座先進封裝工廠在內的半導體產業集群，美國將提供至多64億美元補貼。

　　其中，三星位于美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠已于2022年動工，原定于2024年投產，可提供4nm制程生產能力。不過，今年5月媒體報道三星已將該座晶圓廠的量產時間從2024年底推遲到了2026年，原因可能與晶圓代工市場增勢放緩以及美國補貼發放進度緩慢有關。

　　另據媒體報道，隨著晶圓廠延期建設，三星可能將上述工廠先進制程技術從4nm升級至2nm，以便在先進制程領域，與臺積電、英特爾、Rapidus等廠商進行競爭。