功率MOSFET采用TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝，導通電阻僅有0.190Ω

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 1 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電阻僅有0.190Ω。低RDS(on)意味著更低的導通損耗，從而在液晶電視、個人電腦、服務器、開關電源和通信系統等各種電子系統中減少功率因數矯正(PFC)和脈寬調制(PWM)應用的能量損耗。

　　除低導通電阻之外，這些器件的柵電荷只有98nc。柵電荷與導通電阻的乘積是功率轉換應用中MOSFET的優值(FOM)，這些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。

　　為可靠起見，這些器件均進行了完整的雪崩測試，具有很高的重復(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可處理65A的峰值電流和22A的連續電流。這四款器件均具有有效輸出容值標準。

　　與前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨導和反向恢復特性。這些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

　　新款Super Junction FET MOSFET現可提供樣品，將于2010年第一季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。

VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

　　Super Junction FET@ 是Vishay Intertechnology公司的注冊商標。

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