1　不同阻斷電壓的igbt之間的效率對(duì)比

　　igbt在電力電子中使用的非常廣泛。如今，有各種電壓等級(jí)的igbt——廣泛用于工業(yè)應(yīng)用的1200v和1700vigbt以及3.3kv、4.5kv和6.5kv的中壓igbt。那么哪種電壓等級(jí)最適合大功率應(yīng)用呢?當(dāng)上述igbt被放置在可用的最大外殼中以得到逆變器時(shí)，可找到這個(gè)問(wèn)題的答案。當(dāng)然，模擬在最優(yōu)工作條件可得到的可用功率更簡(jiǎn)單。

　　將上述igbt封裝在寬度為190mm的最大標(biāo)準(zhǔn)外殼ihm中，如果定義了最佳工作條件——vdc直流運(yùn)行環(huán)節(jié)電壓，vac交流輸出電壓、3.6 khz的載波開(kāi)關(guān)頻率并在盡可能好的冷卻條件下，如附表所示。圖1的計(jì)算結(jié)果顯示了不同igbt的可用功率。

　　結(jié)果顯示，采用3.3 kv、1200 a單模塊可獲得的最大功率約為采用1.7 kv、2400 a igbt所獲得功率的一半。

　　與相比之下，6.5 kv、600 a igbt模塊所提供的功率僅為1700 v igbt的四分之一。

　　產(chǎn)生如此令人驚訝的結(jié)果的原因是igbt模塊的損耗。如果計(jì)算這三個(gè)變換器的效率，可以看到損耗比為1:2：4，如圖2所示。

　　對(duì)于這個(gè)對(duì)比，使用了相同的載波開(kāi)關(guān)頻率，fsw =3.6khz。這使得有機(jī)會(huì)設(shè)計(jì)濾波器相對(duì)較小的逆變器。使用不同的載波開(kāi)關(guān)頻率做對(duì)比，將導(dǎo)致所用的輸出正弦濾波器不同。基于上述種種原因，可以看出，采用1700v igbt的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了最大效率，1700 v igbt是一款具有非常合理單位模塊價(jià)格的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)產(chǎn)品。

　　附表 運(yùn)行在fsw=3.6khz 、cos=0.9 且冷卻條件和模塊尺寸相同情況下的三相igbt逆變器

　　2　skiip 方案 vs. 標(biāo)準(zhǔn)igbt模塊

　　1700v igbt封裝在不同的模塊外殼中。為了對(duì)比，我們可以采用最大的單開(kāi)關(guān)模塊，the ihm 2400 a 1700v，將兩個(gè)這樣的模塊和一個(gè)尺寸和長(zhǎng)度相近的雙管模塊skiip1513gb172做比較。如果兩個(gè)skiip在一個(gè)散熱器背靠背放置，則可得到一個(gè)電流是2x 1500 a = 3000 a的半橋(外殼溫度= 25 ℃時(shí) )，或者電流為 2250 a的半橋(當(dāng)外殼溫度為70 ℃時(shí))。

　　兩個(gè)單開(kāi)關(guān)模塊將提供一個(gè)2400 a的半橋，見(jiàn)圖3。

　　圖3　負(fù)載電流vs開(kāi)關(guān)頻率

　　如果我們比較計(jì)算的結(jié)果，可以看到，與放置在最大外殼中的標(biāo)準(zhǔn)模塊相比，采用skiip的方案可在整個(gè)開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流。

　　如果采用了更強(qiáng)大的skiip模塊，如使用硝酸鋁作為陶瓷基板的skiip 2403gb172，可從三相逆變器獲得更多的功率，目前是1800 kva， 見(jiàn)圖4。

　　圖4　采用1800kva基本單元的示例

　　通過(guò)放置兩個(gè)并聯(lián)的6單元skiip603gd172模塊，600kva三相逆變器可被設(shè)計(jì)在同一外殼中，作為1800kva的一相，見(jiàn)圖5 。

　　圖5　采用600kva基本單元的示例

　　該單元可稱(chēng)為“基本單元”，可用于不同功率的應(yīng)用設(shè)計(jì)中。對(duì)于更大功率三相逆變器，三相結(jié)構(gòu)作為一個(gè)基本單元。將三個(gè)單元相并聯(lián)，可得到1800kva的三相逆變器。所需的更高功率是通過(guò)將幾個(gè)基本單元相并聯(lián)實(shí)現(xiàn)的。